这种太阳能充电的自供电单元可以直接佩戴，全球并可作为可靠的电源为便携式电子手表供电。

不同于传统的VLS方法，成人此方法克服了昂贵单晶衬底和晶格失配的挑战，同时避免了金属催化剂对所生长纳米线结构与性能的影响。图五、网站纳米线的光电器件性能(a)单个纳米线基光电探测器示意图。

由于晶格常数完全相同，建立所析出硒化铟分子在硒化铟纳米片晶格导向作用下定向外延生长。年些(e,f)纳米线光电器件的上升和下降时间。通常，变化汽-固法和气-液-固法是生长一维半导体纳米线的两种常用方法。

全球小结本工作通过边界同质外延的方法直接在SiO2/Si基底上合成出InSe纳米线阵列。该项研究得到微结构科学与技术协同创新中心的支持，成人以及国家杰出青年科学基金、成人科技部量子调控国家重大科学研究计划（青年科学家专题）项目、国家自然科学基金、中央高校基本科研业务费和中国博士后科学基金等项目的资助。

边界同质外延生长纳米线的生长机制为：网站在较低温度下，首先生长出硒化铟的单晶纳米片。

建立此工作所提出的边界同质外延法也为硅基底上直接生长半导体纳米线阵列开拓一个可行的途径。暴风TV去年7月份成立，年些12月2日发布第一代产品：暴风超体电视1代。

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